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A79T/AO3407场效应管参数 AO3407丝印 替代 AO3407中文资料PDF

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2022-04-20 浏览:-

A79T/AO3407场效应管参数 AO3407中文资料PDF 引脚图 丝印 AO3407替代

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产品名称:AO3407,-30V,P沟道场效应管    产品类型:场效应管/MOS管/MOSFET    

产品型号:AO3407    极性:P沟道    漏源电压:-30V    连续漏极电流:-4.1A    封装:SOT-23等

场效应管AO3407 丝印A79T 封装SOT23

图1)场效应管AO3407  丝印A79T 封装SOT23

场效应管AO3407规格书(数据手册)下载:AO3407 SOT23.PDF


场效应管AO3407参数资料如下:


极性:PNP

漏源电压(VDS):-30V

栅源电压(VGS):±20V

漏极电流-连续(TA=25°C)(ID):-4.1A

漏极电流-连续(TA=70°C)(ID):-3.5A

漏极电流-脉冲(IDM):-20A

功耗(TA=25°C)(PD):1.4W

功耗(TA=70°C)(PD):1W

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG):-55 to 150 °С

热阻-结到环境(t≤10s)(RθJA):90°C/W

热阻-结到环境(稳定状态下)(RθJA):125°C/W

热阻-结到引线(RθJL):60°C/W

绝对最大额定值

图2)绝对最大额定值(除非另有说明,否则绝对最大额定值Ta=25°C)

电气特性

图3)电气特性(Ta=25°C,除非另有说明)

图5)场效应管AO3407(SOT23)封装尺寸

图4)场效应管AO3407(SOT23)封装尺寸

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