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[行业资讯]AO3410场效应管参数,AO3410中文资料规格书,AO3410替代[ 2022-05-05 18:17 ]
AO3410场效应管参数,AO3410中文资料规格书,AO3410替代 场效应管AO3410参数,丝印A01TT,AO3410封装引脚图,AO3410中文资料PDF,MOS管厂家 产品名称:场效应MOS管 产品型号:AO3410 极性:N沟道 漏源电压:30V 连续漏极电流:5.8A 封装:SOT-23等...
http://seikon100.com/Article/ao3410cxyg_1.html3星
[行业资讯]AO3409场效应管参数 AO3409中文资料规格书 AO3409替代[ 2022-05-05 16:03 ]
AO3409场效应管参数,AO3409中文资料规格书,AO3409替代 场效应管AO3409参数,丝印A99T,AO3409封装引脚图,AO3409中文资料PDF,MOS管厂家 产品名称:场效应MOS管 产品型号:AO3409 极性:P沟道 漏源电压:-30V 连续漏极电流:-2.6A 封装:SOT-23等...
http://seikon100.com/Article/ao3409cxyg_1.html3星
[行业资讯]A79T/AO3407场效应管参数 AO3407丝印 替代 AO3407中文资料PDF[ 2022-04-20 16:38 ]
A79T/AO3407场效应管参数 AO3407中文资料PDF 引脚图 丝印 AO3407替代 AO3407场效应管参数,AO3407引脚图封装,AO3407丝印,AO3404中文资料PDF,规格书,AO3404替代; 产品名称:AO3407,-30V,P沟道场效应管 产品类型:场效应管/MOS管/MOSFET; 产品型号:AO3407 极性:P沟道 漏源电压:-30V 连续漏极电流:-4.1A 封装:SOT-23等
http://seikon100.com/Article/a79tao3407_1.html3星
[行业资讯]A49T/AO3404参数,AO3400场效应管参数中文资料,AO3404丝印,MOS管[ 2022-04-15 14:34 ]
A49T/AO3404参数,AO3400场效应管参数中文资料,AO3404丝印,MOS管; AO3404场效应管参数资料,AO3404中文资料PDF,AO3404规格书,AO3404替代,AO3404A封装; 产品名称:AO3404,30V,N沟道场效应管 产品类型:场效应管/MOS管/MOSFET 产品型号:AO3404 极性:N沟道 漏源电压:30V 连续漏极电流:5A 封装:SOT-23等
http://seikon100.com/Article/ao3404csao_1.html3星
[行业资讯]AO3402场效应管参数,AO3402规格书中文资料,参数代换[ 2022-04-11 16:05 ]
AO3402场效应管参数,AO3402规格书中文资料,参数代换 AO3402(30V,N-Channel MOSFET,SOT-23)AO3402场效应管/MOS管/国产替代/厂家直销 AO3402 PDF中文资料,AO3402引脚图 AO3402(SOT-23)封装引脚图如下(图片)
http://seikon100.com/Article/ao3402cxygA_1.html3星
[行业资讯]STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:16 ]
STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微STD3NK50Z中文参数,STD3NK50Z封装引脚图,STD3NK50Z数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)STD3NK50Z场效应管封装TO-252,TO-251,TO-92,特征· 典型 RDS(on)=2.8Ω· 极高的dv/dt能力· ESD改进能力)· 100%雪崩测试· 新的高压基准· 栅极电荷最小化绝对最大额定值(TC=25°C,除非
http://seikon100.com/Article/std3nk50zc_1.html3星
[行业资讯]TK3P50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:05 ]
TK3P50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微TK3P50D中文参数,TK3P50D封装引脚图,TK3P50D数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)TK3P50D场效应管封装TO-252特征开关稳压器(1) 低漏源导通电阻:RDS(ON)=2.3Ω(典型值)(2) 高前向转移导纳:|Yfs|=1.0S(典型值)(3) 低漏电流:IDSS=10µA(最大值)(VDS=500 V)(4) 增强模式:Vth=2.4至4.4V(VDS=10V,ID=1mA)绝对最大额定值(TC=25&de
http://seikon100.com/Article/tk3p50dcsz_1.html3星
[行业资讯]IRFR420A参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 14:34 ]
? 低栅极电荷Qg导致简单驱动要求 ? 改进的门限、雪崩和动态dV/dt坚固性 ? 充分表征电容和雪崩电压和电流 ? 指定有效成本 ? 材料分类:用于合规性定义 应用:开关电源(SMPS),不间断电源供应,高速电源切换
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[行业资讯]SVF3N50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 14:09 ]
SVF3N50D/MJ,N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高 的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
http://seikon100.com/Article/svf3n50dcs_1.html3星
[行业资讯]FIR5N50LG,TO-252,中文参数,引脚图,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 13:52 ]
FIR5N50BPG,LG硅N沟道增强型VDMOSFET,采用自对准平面技术获得,可降低传导损耗,提高开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。 封装形式为符合RoHS标准的TO-251。
http://seikon100.com/Article/fir5n50lgt_1.html3星
[行业资讯]HFD5N40,TO-252,中文参数,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-24 15:32 ]
· 原创新设计 · 卓越的雪崩坚固技术 · 强大的栅极氧化技术 · 极低的固有电容 · 优良的开关特性 · 无与伦比的栅极电荷:13 nC(典型值) · 扩展安全操作区 · 降低 RDS(ON) ? 7\S #9GS=10V · 100% 雪崩测试
http://seikon100.com/Article/hfd5n40to2_1.html3星
[行业资讯]AP02N40H-HF参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-24 15:21 ]
AP02N40系列来自创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。 它为设计师提供具有极其高效的设备,可用于各种功率应用程序。TO-252封装广泛适用于商业工业表面贴装应用,适用于低电压应用如DC/DC转换器。
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[行业资讯]IRFR320参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-24 14:51 ]
第三代功率MOSFET提供了设计师与快速切换的最佳组合,坚固耐用的设备设计,低导通电阻和成本效益。DPAK设计用于使用蒸汽进行表面安装相位、红外或波峰焊接技术。 直的引线版本(IRFU、SiHFU系列)用于通孔安装应用。 功耗水平高达1.5W在典型的表面贴装应用中是可能的。
http://seikon100.com/Article/irfr320csz_1.html3星
[行业资讯]SPD02N50C3场效应管参数 (MOS管) SPD02N50C3规格书参数代换〔壹芯微〕[ 2021-12-21 13:39 ]
SPD02N50C3场效应管参数 (MOS管) SPD02N50C3规格书参数代换〔壹芯微〕SPD02N50C3中文参数,SPD02N50C3封装引脚图,SPD02N50C3数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)SPD02N50C3场效应管主要参数(最大额定值):漏源电压(VDSS):560V栅源电压(VGSS):±20V雪崩电流(IAR):1.8A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):1.8A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):1.1A漏极电流-脉冲(IDPlus):5.
http://seikon100.com/Article/spd02n50c3_1.html3星
[行业资讯]SDU05N04场效应管参数 (MOS管) SDU05N04规格书参数代换〔壹芯微〕[ 2021-12-21 11:58 ]
SDU05N04场效应管参数 (MOS管) SDU05N04规格书参数代换〔壹芯微〕SDU05N04中文参数,SDU05N04封装引脚图,SDU05N04数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)SDU05N04场效应管主要参数(最大额定值):漏源电压(VDSS):400V栅源电压(VGSS):±30V漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):4A漏极电流-连续(TJ=70°C)(ID):3.3A漏极电流-脉冲(IDM):12A单脉冲雪崩能量(EAS):2.5mJ功耗(TC=25°
http://seikon100.com/Article/sdu05n04cx_1.html3星
[行业资讯]FDD5N50场效应管参数 (MOS管) FDD5N50规格书参数代换〔壹芯微〕[ 2021-12-21 11:17 ]
FDD5N50场效应管参数 (MOS管) FDD5N50规格书参数代换〔壹芯微〕FDD5N50中文参数,FDD5N50封装引脚图,FDD5N50数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)FDD5N50场效应管主要参数(最大额定值):漏源电压(VDSS):500V栅源电压(VGSS):±30V雪崩电流(IAR):4A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):4A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):2.4A漏极电流-脉冲(IDM):16A单脉冲雪崩能量(EAS):256mJ重复雪崩能量
http://seikon100.com/Article/fdd5n50cxy_1.html3星
[行业资讯]CJU04N65场效应管参数 CJU04N65参数资料规格书〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:45 ]
CJU04N65场效应管参数 CJU04N65参数资料规格书〔壹芯微〕CJU04N65参数资料,选型替代,CJU04N65封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS):650V栅源电压(VGSS):±30V漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):4.0A漏极电流-脉冲(IDM):16A单脉冲雪崩能量(EAS):280mJ功耗(TC=25°C)(PD):1.25W工作与贮存温度范围(TJ,TSTG):-55~+150°С焊接的最高引线温度(TL):260°
http://seikon100.com/Article/cju04n65cx_1.html3星
[行业资讯]JCS5N50RT场效应管参数 JCS5N50RT参数资料规格书〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:38 ]
JCS5N50RT场效应管参数 JCS5N50RT参数资料规格书〔壹芯微〕JCS5N50RT参数资料,选型替代,JCS5N50RT封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS):500V栅源电压(VGSS):±30V雪崩电流(IAR):5A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):5A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):3.16A漏极电流-脉冲(IDM):20A单脉冲雪崩能量(EAS):305mJ重复雪崩能量(EAR):10.1mJ二极管恢复峰值(dv/dt):4.
http://seikon100.com/Article/jcs5n50rtc_1.html3星
[行业资讯]TK5P50D场效应管参数 TK5P50D参数资料规格书〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:09 ]
TK5P50D场效应管参数 TK5P50D参数资料规格书〔壹芯微〕TK5P50D参数资料,选型替代,TK5P50D封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS):500V栅源电压(VGSS):±30V雪崩电流(IAR):2A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):2.8A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):1.8A漏极电流-脉冲(IDM):9A单脉冲雪崩能量(EAS):120mJ重复雪崩能量(EAR):60mJ二极管恢复峰值(dv/dt):50V/ns功耗(TC=
http://seikon100.com/Article/tk5p50dcxy_1.html3星
[行业资讯]AOD3N50场效应管参数 AOD3N50参数资料规格书〔壹芯微〕[ 2021-12-16 18:06 ]
AOD3N50场效应管参数 AOD3N50参数资料规格书〔壹芯微〕AOD3N50参数资料,选型替代,AOD3N50封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS):500V栅源电压(VGSS):±30V雪崩电流(IAR):2A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):2.8A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):1.8A漏极电流-脉冲(IDM):9A单脉冲雪崩能量(EAS):120mJ重复雪崩能量(EAR):60mJ二极管恢复峰值(dv/dt):50V/ns功耗(TC=
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工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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